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方 （角柱型）接近传感器介绍
方 （角柱型）接近传感器是利用金属导体和交变电磁场的互感原理。位于开头前端的检测线圈产生高频磁场，当金属物体接近该磁场，金属物体内部产生涡电流，导致磁场能量衰减，当金属物体不断靠近开头感应面，能量被吸收而导致衰减，当衰减达到一定程度时，触发接近开头输出信号，从而达到非接触式检测目的。
检测体是影响接近开关感应距离的因素。检测体材料的性质起了重要作用，这可以用衰减系数来描述。衰减系数是指某一种材料的动作距离相对于铁减少了多少。衰减系数越小，则对于某种特定材料的动作距离就越小。
参数
外形编号 | IQ1 | IQ2 | IQ3 | |||
| 埋入式 | 检测距离 | 5mm | 5mm | 5mm | ||
| 直流 10~30 VDC | NPN | NO | IQ1-D1NA05 | IQ2-D1NA05 | IQ3-D1NA05 | |
| NC | IQ1-D1NB05 | IQ2-D1NB05 | IQ3-D1NB05 | |||
| PNP | NO | IQ1-D1PA05 | IQ2-D1PA05 | IQ3-D1PA05 | ||
| NC | IQ1-D1PB05 | IQ2-D1PB05 | IQ3-D1PB05 | |||
| 二线制 | NO | IQ1-D1LA05 | IQ2-D1LA05 | IQ3-D1LA05 | ||
| NC | IQ2-D1LB05 | IQ3-D1LB05 | ||||
| 交流 90~250VAC | SCR可控硅 | NO | IQ3-A1A05 | |||
| NC | IQ3-A1B05 | |||||
| 输出电流 | DC | ≤200mA | ≤200mA | ≤200mA | ||
| SCR/继电器 | ≤200mA | |||||
| 输出电压降 | 直流（NPN PNP）型：3V以下；二线型：3.9V 以下;交流AC 10V以下 DC<3V，AC<10V | |||||
| 消耗电流 | 直流（NPN PNP）型DC 12V时8mA,24V时15mA,交流AC 10mA以下 DC<15mA, AC<10mA | |||||
| 标准检测物体 | 20×20×1（A3铁 ） | 20×20×1（A3铁 ） | 20×20×1（A3铁 ） | |||
| 重复精度 | 0.02 | 0.02 | 0.05 | |||
| 响应频率 | 埋入式 | 1KHz | 1KHz | 1KHz/20Hz | ||
| 非埋入式 | -25℃~ 70℃ | -25℃~ 70℃ | -25℃~ 70℃ | |||
| 工作环境温度 | ≥50M Ω | ≥50M Ω | ≥50M Ω | |||
| 绝缘电阻 | ABS塑料 | ABS塑料 | ABS塑料 | |||
| 外壳材料 | IP67 | IP67 | IP67 | |||
| 防护等级 | SN04-N | TL-Q5MC1 | PL-05N PL-05P | |||
| 短路保护电流 | 220mA（不含AC产品） | |||||
