单面光刻机系统，本系统针对各大专院校、企业及科研单位，对光刻机使用特性研发的一种高精度光刻系统。

一、单面光刻机系统技术参数

1.曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)；
2.365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；
3.声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；
4.有安全保护装置的温度及其气流传感器；
5.全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度；
6.波长滤片检查及安装装置；
7.抗衍射反射功能高效反光镜；
8.二向色的防热透镜装置；
9.防汞灯泄漏装置；
10.配备蝇眼棱镜装置；
11.配备近紫外（或深紫外）光源
 --220nm输出强度–大约8-10 mW/cm2

 --254nm输出强度–大约12-14 mW/cm2
 --365nm输出强度–大约18-20 mW/cm2

 --400nm输出强度–大约30-35 mW/cm2

12.主要配置：6“，8”光源系统，可支持2“，3”，4“，6”，8“（圆/方片）及碎片光刻。
13.手动系统，半自动系统。
14.支持电源350-2000 。
15.支持深紫外近紫外波长（可选项）。
16.支持背后对准及MEMS工艺要求。
17.CCD或显微镜对准系统。
18.主要性能指标：光强均匀性Beam Uniformity:--<±1% over 2”。 区域，--<±2% over 4”区域，--<±3% over 6”区域。
19.接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um。
20.接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um。
21.支持接近式曝光，特征尺寸CD：--0.8um 硬接触，--1um 20um间距时，--2um50um间距时，正面对准精度±0.5um，背面对准精度±1um--±2um（Depends on user），支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um，支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻，支持真空、接近式、接触式曝光，支持恒定光强或恒定功率模式。

二、主要用途 

⒈ 本机针对各大专院校、企业及科研单位，对光刻机使用特性研发的一种高精度光刻机。

⒉ 由于本机找平机构先进，找平力小、使本机不仅适合单晶硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片、的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

3.工作方式 ：本机为单面对准、单面曝光。

三、主要构成：主要由高精度对准工作台、双目分离视场显微镜显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件等组成。

四、主要功能特点

1.适用范围广：适用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。

2.结构先进：具有半球式找平机构和可实现真空硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构。 

3.操作简便：采用翻板方式取片、放片；按钮、按键方式操作，可实现真空吸版、吸片、吸浮球、吸扫描锁等功能，操作、调试、维护、修理都非常简便。

4.可靠性高：采用进口电磁阀、按钮、定时器；采用dute的气动系统、真空管路系统和精密的机械零件，使本机具有非常高的可靠性。

5.特设“碎片”处理功能：解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。